9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI1965DH-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI1965DH-T1-GE3参考价格为0.53000美元。Vishay Siliconix SI1965DH-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6。您可以下载SI1965DH-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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Si1965DH-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装。数据表注释中显示了用于SI1905DL-T1-GE3 SI1917EDH-T1-GE3SI1917EDTH-T1-GE3的零件别名，该SI1905DH-T1/GE3提供单位重量功能，例如0.000988盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及6-TSSOP、SC-88，SOT-363封装盒，该器件也可作为Si技术使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2个通道数，供应商器件封装为SC-70-6（SOT-363），配置为双通道，FET类型为2个P通道（双通道），最大功率为1.25W，晶体管类型为2 P沟道，漏极-源极电压Vdss为12V，输入电容Cis-Vds为120pF@6V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为1.3A，最大Id Vgs的Rds为390 mOhm@1A，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为4.2nC@8V，Pd功耗为740 mW，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为10 ns，上升时间为27 ns，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为1.14 A，Vds漏极-源极击穿电压为-12 V，第Vgs栅极源极阈值电压为-1 V，Rds导通漏极-源极电阻为390mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为15ns，典型接通延迟时间为12ns，Qg栅极电荷为2.8nC。
SI1965DH-T1-E3是MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6，包括1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于8 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于-12 V，提供单位重量功能，如0.000988 oz，典型开启延迟时间设计为12 ns，该器件还可以用作2P沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为P沟道，该器件采用Si技术，该器件具有供应商器件封装的SC-70-6（SOT-363），系列为TrenchFETR，上升时间为27ns，Rds On Max Id Vgs为390mOhm@1A，4.5V，Rds On漏极-源极电阻为390m欧姆，功率最大值为1.25W，Pd功耗为740mW，零件别名为SI1965DH-E3，包装为胶带和卷轴（TR），包装箱为6-TSSOP、SC-88、SOT-363，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最低工作温度范围是-55°C，其最大工作温度范围为+150 C，输入电容Cis-Vds为120pF@6V，Id连续漏极电流为1.14 A，栅极电荷Qg-Vgs为4.2nC@8V，FET类型为2 P通道（双），FET特性为逻辑电平门，下降时间为27 ns，漏极到源极电压Vdss为12V，电流连续漏极Id 25°C为1.3A，并且配置是双重的，信道模式是增强的。
Si1965DH，电路图由Vishay制造。Si1965DH采用SC70-6封装，是FET阵列的一部分。
SI1965DH-E3是VISHAY制造的MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6。SI1965DH-E3采用6-TSSOP、SC-88、SOT-363封装，是FET阵列的一部分，支持MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6。
