该器件是使用STripFET F3技术开发的双N沟道功率MOSFET。它被设计为最小化导通电阻和栅极电荷,以提供优异的开关性能。
特色
- 设计用于自动驾驶应用,AEC-Q101合格
- 逻辑级VGS(th)
- 175°C交界温度
- 100%雪崩
- 可湿侧包装
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 13.10964 | 13.10964 |
10+ | 11.75522 | 117.55227 |
100+ | 9.45053 | 945.05360 |
500+ | 7.76467 | 3882.33950 |
1000+ | 7.05878 | 7058.78500 |
3000+ | 7.05871 | 21176.13900 |
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该器件是使用STripFET F3技术开发的双N沟道功率MOSFET。它被设计为最小化导通电阻和栅极电荷,以提供优异的开关性能。
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