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STL7DN6LF3

  • 描述:场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A 供应商设备包装: PowerFlat(5x6) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 13.10964 13.10964
10+ 11.75522 117.55227
100+ 9.45053 945.05360
500+ 7.76467 3882.33950
1000+ 7.05878 7058.78500
3000+ 7.05871 21176.13900
  • 库存: 0
  • 单价: ¥11.73350
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥13.11
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
  • 场效应管类型 2个N通道(双通道)
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 20A
  • 漏源电压标 (Vdss) 60V
  • 包装/外壳 8-PowerVDFN
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 供应商设备包装 PowerFlat(5x6)
  • 导通电阻 Rds(ON) 43毫欧姆 @ 3A, 10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 8.8nC @ 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 432皮法 @ 25V
  • 最大功率 52W

STL7DN6LF3 产品详情

该器件是使用STripFET F3技术开发的双N沟道功率MOSFET。它被设计为最小化导通电阻和栅极电荷,以提供优异的开关性能。

特色

  • 设计用于自动驾驶应用,AEC-Q101合格
  • 逻辑级VGS(th)
  • 175°C交界温度
  • 100%雪崩
  • 可湿侧包装
STL7DN6LF3所属分类:场效应晶体管阵列,STL7DN6LF3 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STL7DN6LF3价格参考¥11.733498,你可以下载 STL7DN6LF3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STL7DN6LF3规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

意法半导体 (STMicroelectronics)

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