9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4204DY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4204DY-T1-GE3价格参考1.98000美元。Vishay Siliconix SI4204DY-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 20V 19.8A 8-SOIC。您可以下载SI4204DY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI4202DY-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SO，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了SI4202DX-GE3中使用的零件别名，该SI4202DY GE3提供单位重量功能，例如0.017870盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，除了8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ，最大功率为3.7W，晶体管类型为2 N沟道，漏极-源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为710pF@15V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为12.1A，最大Id Vgs的Rds为14mOhm@8A，10V，Vgs最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为17nC@10V，Pd功耗为3.7W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为12.1 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds漏极源极电阻为17 mΩ，晶体管极性为N沟道。
SI4202DY-T1-E3，带有VISHAY制造的用户指南。SI4202DY-T1-E3采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
Si4204DY，带有VISHAY制造的电路图。Si4204DY在SOP-8封装中提供，是FET阵列的一部分。
