9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI1902DL-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI1902DL-T1-GE3参考价格为0.55000美元。Vishay Siliconix SI1902DL-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC-70-6。您可以下载SI1902DL-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI1902DL-T1-E3是MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI1902DL E3的零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.000265盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及TrenchFET商品名，该装置也可以用作6-TSSOP、SC-88、SOT-363包装盒。此外，该技术为Si，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件具有安装型表面安装，通道数为2通道，供应商器件封装为SC-70-6（SOT-363），配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），最大功率为270mW，晶体管类型为2 N-通道，漏极到源极电压Vdss为20V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为660mA，最大Id Vgs的Rds为385 mOhm@660mA，4.5V，Vgs最大Id为1.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为1.2nC@4.5V，Pd功耗为270 mW，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为16纳秒，上升时间为16 ns，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为700 mA，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，Rds漏极源极电阻为385毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为10纳秒，典型开启延迟时间为10ns，信道模式为增强。
Si1902DL-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC-70-6，包括1.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于12 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于20 V，提供单位重量功能，如0.000265盎司，晶体管类型设计用于2 N沟道，以及N沟道晶体管极性，该设备也可以用作TrenchFET商品名。此外，该技术为Si，该器件在SC-70-6（SOT-363）供应商器件封装中提供，该器件具有系列TrenchFETR，Rds On Max Id Vgs为385 mOhm@660mA，4.5V，Rds On Drain Source Resistance为385 mOhm，Power Max为270mW，Pd功耗为270 mW，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为6-TSSOP，SC-88，SOT-363，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数量为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最小工作温度范围是-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏极电流为700 mA，栅电荷Qg Vgs为1.2nC@4.5V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为660mA，配置为双。
SI1902DL-T1，带有VISHAY制造的电路图。SI1902DL-T1在SOT363封装中提供，是FET阵列的一部分。
SI1902DL-T1-E1，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SI1902DL-T1-E1采用SOT363封装，是IC芯片的一部分。
