PowerTrench®MOSFET是经过优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。它们结合了小栅极电荷(Qg)、小反向恢复电荷(Qrr)和软反向恢复体二极管,有助于快速切换AC/DC电源中的同步整流。
最新的PowerTrench®MOSFET采用了提供电荷平衡的屏蔽栅极结构。通过利用这一先进技术,这些设备的FOM(品质因数)显著低于上一代设备。
PowerTrench®MOSFET的软体二极管性能能够消除缓冲电路或更换更高额定电压的MOSFET。
特色
- Q1 3.0安,20伏
- RDS(开启)=70 mΩ@VGS=4.5 V
- RDS(开启)=95 mΩ@VGS=2.5 V
- Q2–2.2安培,20伏。
- RDS(开启)=125 mΩ@VGS=-4.5 V
- RDS(开启)=190 mΩ@VGS=-2.5 V
- 低栅极电荷
- 用于极低RDS(ON)的高性能沟槽技术
- SuperSOT–6封装:占地面积小(比SO-8小72%);低轮廓(1mm厚)。
应用
- 本产品通用,适用于许多不同的应用。