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FDC6420C

  • 描述:场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A, 2.2A 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 台舟 (TECH PUBLIC)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 0.82206 0.82206
100+ 0.73153 73.15330
1000+ 0.63954 639.54800
  • 库存: 1
  • 单价: ¥0.82207
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥0.82
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规格参数

  • 制造厂商 台舟 (TECH PUBLIC)
  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 场效应管类型 N和P通道
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
  • 最大功率 700mW
  • 包装/外壳 SOT-23-6薄型,TSOT-23-6
  • 供应商设备包装 SuperSOT-6.
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 4.6nC @ 4.5V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 3A, 2.2A
  • 导通电阻 Rds(ON) 70毫欧姆 @ 3A, 4.5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 324皮法 @ 10V

FDC6420C 产品详情

PowerTrench®双N/P沟道MOSFET,Fairchild半导体

PowerTrench®MOSFET是经过优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。它们结合了小栅极电荷(Qg)、小反向恢复电荷(Qrr)和软反向恢复体二极管,有助于快速切换AC/DC电源中的同步整流。
最新的PowerTrench®MOSFET采用了提供电荷平衡的屏蔽栅极结构。通过利用这一先进技术,这些设备的FOM(品质因数)显著低于上一代设备。
PowerTrench®MOSFET的软体二极管性能能够消除缓冲电路或更换更高额定电压的MOSFET。

特色

  • Q1 3.0安,20伏
  • RDS(开启)=70 mΩ@VGS=4.5 V
  • RDS(开启)=95 mΩ@VGS=2.5 V
  • Q2–2.2安培,20伏。
  • RDS(开启)=125 mΩ@VGS=-4.5 V
  • RDS(开启)=190 mΩ@VGS=-2.5 V
  • 低栅极电荷
  • 用于极低RDS(ON)的高性能沟槽技术
  • SuperSOT–6封装:占地面积小(比SO-8小72%);低轮廓(1mm厚)。

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
FDC6420C所属分类:场效应晶体管阵列,FDC6420C 由 台舟 (TECH PUBLIC) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDC6420C价格参考¥0.822069,你可以下载 FDC6420C中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDC6420C规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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台舟电子股份有限公司是2009年建立,公司的精英设计团队均来自于国内外知名企业,团队主管曾任职于美国硅谷著名IC设计龙头公司,担任技术高层岗位超过15年,核心成员均有10年以上设计经验。 台...

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