9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7949DP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7949DP-T1-GE3参考价格1.72000美元。Vishay Siliconix SI7949DP-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8。您可以下载SI7949DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI7949DP-T1-E3是MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表中显示了用于SI7949DP-E3的零件别名，该SI7949DPE-E3提供单位重量功能，例如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及PowerPAKR SO-8双封装外壳，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2个通道数，供应商器件封装为PowerPAKR SO-8双通道，配置为双通道，FET类型为2个P通道（双通道），最大功率为1.5W，晶体管类型为2 P通道，漏极到源极电压Vdss为60V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为3.2A，最大Id Vgs上的Rds为64mOhm@5A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为40nC@10V，Pd功耗为1.5W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为9纳秒，上升时间为9 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为3.2 A，Vds漏极-源极击穿电压为-60 V，Rds导通漏极-漏极电阻为64毫欧，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为65 ns，并且典型的开启延迟时间是8ns，并且信道模式是增强。
SI7948DP-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 60V 3A PPAK SO-8，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与PowerPAKR SO-8双供应商器件封装一起工作，系列如数据表说明所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如75 mOhm@4.6A，10V，Power Max设计为1.4W，以及Digi-ReelR封装，该器件也可以用作PowerPAKR SO-8双封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有20nC@10V的栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为60V，25°C的电流连续漏电流Id为3A。
SI7948DY-T1-E3，带有VISHAY制造的电路图。SI7948DY-T1-E3采用SOP8封装，是IC芯片的一部分。
