9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI1902DL-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI1902DL-T1-E3参考价格为0.55000美元。Vishay Siliconix SI1902DL-T1-E3封装/规格：MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6。您可以下载SI1902DL-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI1902CDL-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 20V 1.1A SC-70-6，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代包装一起工作。数据表注释中显示了用于SI1958DH-T1-GE3的零件别名，该SI1958DH T1-GE3提供单位重量功能，如0.000988盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，以及TrenchFET商品名，该装置也可以用作6-TSSOP、SC-88、SOT-363包装盒。此外，该技术为Si，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件具有安装型表面安装，通道数为2通道，供应商器件封装为SC-70-6（SOT-363），配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），最大功率为420mW，晶体管类型为2 P通道，漏极到源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为62pF@10V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为1.1A，最大Id Vgs上的Rds为235mOhm@1A，4.5V，Vgs最大Id为1.5V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为3nC@10V；Pd功耗为420 mW，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为9 ns，上升时间为13 ns，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为1.1 A，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，Vgs第h栅极-源阈值电压为1.5 V，Rds漏极源极电阻为235 mΩ，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为11ns，典型接通延迟时间为4ns，Qg栅极电荷为0.9nC，正向跨导最小值为3ms，信道模式为增强。
SI1902DL-T1，带有VISHAY制造的用户指南。SI1902DL-T1在SOT363封装中提供，是FET阵列的一部分。
SI1902DL-T1-E1，带有VISHAY制造的电路图。SI1902DL-T1-E1采用SOT363封装，是IC芯片的一部分。
