9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4564DY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4564DY-T1-GE3参考价格为1.45000美元。Vishay Siliconix SI4564DY-T1-GE3封装/规格：MOSFET N/P-CH 40V 10A 8SOIC。您可以下载SI4564DY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI4563DY-T1-E3是MOSFET N/P-CH 40V 8A 8-SOIC，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI4563DY E3的零件别名，该SI4563DYE3提供单位重量功能，如0.006596盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，除了8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2个通道数量的通道，供应商器件封装为8-SO，配置为1个N通道1个P通道，FET类型为N和P通道，最大功率为3.25W，晶体管类型为1个N-通道1个P-通道，漏极至源极电压Vdss为40V，输入电容Cis-Vds为2390pF@220V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为8A，最大Id Vgs的Rds为16 mOhm@5A，10V，Vgs最大Id为2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为85nC@10V，Pd功耗为2 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为19 ns 69 ns，上升时间为117纳秒93纳秒，Vgs栅极-源极电压为16伏特，Id连续漏极电流为8安培，Vds漏极-源极击穿电压为40伏特，Rds导通漏极-漏极电阻为13毫欧姆20毫欧姆，晶体管极性为N沟道P沟道，典型关断延迟时间为62纳秒80纳秒，典型接通延迟时间为88纳秒33纳秒，信道模式是增强。
SI4563DY-T1-GE3是MOSFET N/P-CH 40V 8A 8-SOIC，包括2V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与8-SO供应商设备包一起工作，系列如数据表说明所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如16 mOhm@5A、10V，功率最大设计为3.25W，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可作为8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2390pF@20V的输入电容Cis Vds，栅极电荷Qg Vgs为85nC@10V，FET类型为N和P沟道，FET特性为标准，漏极-源极电压Vdss为40V，电流连续漏极Id 25°C为8A。
SI4563DY，带有SI制造的电路图。SI4563DY可在SOP-8封装中获得，是FET阵列的一部分。
