该器件是使用STMicroelectronics的STripFET H5技术开发的双N沟道功率MOSFET。该器件经过优化,可实现极低的导通电阻,从而使FoM成为同类产品中的佼佼者。
特色
- 设计用于自动驾驶应用,AEC-Q101合格
- 逻辑级VGS(th)
- 175°C最高接合温度
- 可湿侧包装
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 16.94838 | 16.94838 |
10+ | 15.23906 | 152.39062 |
100+ | 12.25064 | 1225.06410 |
500+ | 10.06516 | 5032.58400 |
1000+ | 9.15010 | 9150.10000 |
3000+ | 9.15017 | 27450.51900 |
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该器件是使用STMicroelectronics的STripFET H5技术开发的双N沟道功率MOSFET。该器件经过优化,可实现极低的导通电阻,从而使FoM成为同类产品中的佼佼者。
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