久芯网

STL66DN3LLH5

  • 描述:场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 78.5A 供应商设备包装: PowerFlat(5x6) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

展开

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 16.94838 16.94838
10+ 15.23906 152.39062
100+ 12.25064 1225.06410
500+ 10.06516 5032.58400
1000+ 9.15010 9150.10000
3000+ 9.15017 27450.51900
  • 库存: 0
  • 单价: ¥12.89236
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥16.95
在线询价

温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
  • 场效应管类型 2个N通道(双通道)
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 12nC @ 4.5V
  • 包装/外壳 8-PowerVDFN
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1500皮法@25V
  • 供应商设备包装 PowerFlat(5x6)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 78.5A
  • 导通电阻 Rds(ON) 6.5毫欧姆 @ 10A, 10V
  • 最大功率 72W

STL66DN3LLH5 产品详情

该器件是使用STMicroelectronics的STripFET H5技术开发的双N沟道功率MOSFET。该器件经过优化,可实现极低的导通电阻,从而使FoM成为同类产品中的佼佼者。

特色

  • 设计用于自动驾驶应用,AEC-Q101合格
  • 逻辑级VGS(th)
  • 175°C最高接合温度
  • 可湿侧包装
STL66DN3LLH5所属分类:场效应晶体管阵列,STL66DN3LLH5 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STL66DN3LLH5价格参考¥12.892362,你可以下载 STL66DN3LLH5中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STL66DN3LLH5规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

意法半导体 (STMicroelectronics)

意法半导体是一家全球独立的半导体公司,在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权(IP)组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统(So...

展开
会员中心 微信客服
客服
回到顶部