9icnet为您提供由Nexperia USA Inc.设计和生产的PMDXB950UPELZ，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。PMDXB950UPELZ参考价格为0.44000美元。Nexperia USA Inc.股份有限公司PMDXB950UPELZ封装/规格：20 V，双P通道沟槽MOSF。您可以下载PMDXB950UPELZ英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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PMDXB550UNEZ，带有引脚细节，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于SMD/SMT安装类型，数据表注释中显示了用于6-XFDFN暴露焊盘的封装盒，该焊盘提供Si等技术特性，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），以及表面安装安装类型，该设备也可以用作2信道数信道。此外，供应商设备包为DFN1010B-6，该设备为双配置，该设备具有2 N通道（双）FET型，最大功率为285mW，晶体管类型为2 N通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Ciss Vds为30.3pF@15V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为590mA，Rds最大Id Vgs为670 mOhm@590mA，4.5V，Vgs最大Id为950mV@250μA，栅极电荷Qg Vgs为1.05nC@4.5V，Pd功耗为4.03W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为3 ns，上升时间为7 ns，Vgs栅源电压为+/-8 V，并且Id连续漏极电流为590 mA，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Vgs第栅极-源极阈值电压为450 mV，Rds导通漏极-漏极电阻为670 mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为12 ns，典型导通延迟时间为4 ns，Qg栅极电荷为1.05 nC，前向跨导Min为600mS，信道模式为增强。
PMDXB600UNE是MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN，包括950mV@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与6-DFN（1.1x1）供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如620mOhm@600mA，4.5V，Power Max设计为265mW，以及Digi-ReelR替代封装，该器件也可用作6-XFDFN暴露焊盘封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件的输入电容Cis-Vds为21.3pF@10V，栅极电荷Qg-Vgs为0.7nC@4.5V，FET类型为2 N通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极-源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为600mA。
带有电路图的PMDXB950UPE，包括500mA电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在20V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表注释中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 P通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计为在2.1nC@4.5V下工作，以及43pF@10V输入电容Cis Vds，该设备也可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该设备采用6-XFDFN外露衬垫包装盒，该设备具有Digi-ReelR替代包装，最大功率为265mW，最大电流下的Rds Id Vgs为1.4 Ohm@500mA，4.5V，系列为TrenchFETR，供应商设备包装为6-DFN（1.1x1），Vgsth最大Id为950mV@250μA。
PMDXB600UNEZ带有EDA/CAD型号，包括表面安装型，它们设计为使用逻辑电平门FET功能进行操作。数据表注释中显示了用于Digi-ReelR替代封装的封装，该封装提供了供应商设备封装功能，如DFN1010B-6，Vgs th Max Id设计为在950mV@250μa下工作，以及6-XFDFN暴露焊盘封装外壳，该器件还可以用作620mOhm@600mA、4.5V Rds On Max Id Vgs。此外，25°C的电流连续漏极Id为600mA，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），器件的最大功率为265mW，输入电容Ciss Vds为21.3pF@10V，漏极到源极电压Vdss为20V，FET类型为2 N沟道（双），栅极电荷Qg Vgs为0.7nC@4.5V。
