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PMDXB550UNEZ,带有引脚细节,包括Digi-ReelR替代封装,它们设计用于SMD/SMT安装类型,数据表注释中显示了用于6-XFDFN暴露焊盘的封装盒,该焊盘提供Si等技术特性,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ),以及表面安装安装类型,该设备也可以用作2信道数信道。此外,供应商设备包为DFN1010B-6,该设备为双配置,该设备具有2 N通道(双)FET型,最大功率为285mW,晶体管类型为2 N通道,漏极至源极电压Vdss为30V,输入电容Ciss Vds为30.3pF@15V,FET特性为标准,25°C的电流连续漏极Id为590mA,Rds最大Id Vgs为670 mOhm@590mA,4.5V,Vgs最大Id为950mV@250μA,栅极电荷Qg Vgs为1.05nC@4.5V,Pd功耗为4.03W,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为3 ns,上升时间为7 ns,Vgs栅源电压为+/-8 V,并且Id连续漏极电流为590 mA,Vds漏极-源极击穿电压为30 V,Vgs第栅极-源极阈值电压为450 mV,Rds导通漏极-漏极电阻为670 mOhm,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为12 ns,典型导通延迟时间为4 ns,Qg栅极电荷为1.05 nC,前向跨导Min为600mS,信道模式为增强。
PMDXB600UNE是MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN,包括950mV@250μA Vgs th Max Id,它们设计为与6-DFN(1.1x1)供应商设备包一起工作,系列如数据表注释所示,用于TrenchFETR,提供Rds on Max Id Vgs功能,如620mOhm@600mA,4.5V,Power Max设计为265mW,以及Digi-ReelR替代封装,该器件也可用作6-XFDFN暴露焊盘封装盒,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ),该器件为表面安装安装型,该器件的输入电容Cis-Vds为21.3pF@10V,栅极电荷Qg-Vgs为0.7nC@4.5V,FET类型为2 N通道(双),FET特性为逻辑电平门,漏极-源极电压Vdss为20V,电流连续漏极Id 25°C为600mA。
带有电路图的PMDXB950UPE,包括500mA电流连续漏极Id 25°C,它们设计为在20V漏极到源极电压Vdss下工作,数据表注释中显示了用于逻辑电平门的FET特性,该逻辑电平门提供FET类型特性,如2 P通道(双),栅极电荷Qg Vgs设计为在2.1nC@4.5V下工作,以及43pF@10V输入电容Cis Vds,该设备也可以用作表面安装型,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ),该设备采用6-XFDFN外露衬垫包装盒,该设备具有Digi-ReelR替代包装,最大功率为265mW,最大电流下的Rds Id Vgs为1.4 Ohm@500mA,4.5V,系列为TrenchFETR,供应商设备包装为6-DFN(1.1x1),Vgsth最大Id为950mV@250μA。
PMDXB600UNEZ带有EDA/CAD型号,包括表面安装型,它们设计为使用逻辑电平门FET功能进行操作。数据表注释中显示了用于Digi-ReelR替代封装的封装,该封装提供了供应商设备封装功能,如DFN1010B-6,Vgs th Max Id设计为在950mV@250μa下工作,以及6-XFDFN暴露焊盘封装外壳,该器件还可以用作620mOhm@600mA、4.5V Rds On Max Id Vgs。此外,25°C的电流连续漏极Id为600mA,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ),器件的最大功率为265mW,输入电容Ciss Vds为21.3pF@10V,漏极到源极电压Vdss为20V,FET类型为2 N沟道(双),栅极电荷Qg Vgs为0.7nC@4.5V。