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STS8DN6LF6AG

  • 描述:场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Ta) 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 13.03722 13.03722
10+ 11.63209 116.32097
100+ 9.07100 907.10080
500+ 7.49321 3746.60750
1000+ 6.27416 6274.16200
2500+ 6.27416 15685.40500
  • 库存: 0
  • 单价: ¥10.42978
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥13.04
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SO
  • 场效应管类型 2个N通道(双通道)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 27nC @ 10V
  • 漏源电压标 (Vdss) 60V
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 8A (Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 24欧姆@4A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1340皮法@25伏
  • 最大功率 3.2瓦

STS8DN6LF6AG 产品详情

这种STripFETV功率MOSFET技术是最新的改进之一,经过特别定制,可实现非常低的导通电阻,同时也是同类最佳FOM之一。

特色

  • RDS(on)*Qginindustrybnchmark
  • Verylow开关门充电
  • 电阻极低RDS(开)
  • 低速门驱动功率损失
  • 高雪崩强度
STS8DN6LF6AG所属分类:场效应晶体管阵列,STS8DN6LF6AG 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STS8DN6LF6AG价格参考¥10.429776,你可以下载 STS8DN6LF6AG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STS8DN6LF6AG规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

意法半导体 (STMicroelectronics)

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