这种STripFETV功率MOSFET技术是最新的改进之一,经过特别定制,可实现非常低的导通电阻,同时也是同类最佳FOM之一。
特色
- RDS(on)*Qginindustrybnchmark
- Verylow开关门充电
- 电阻极低RDS(开)
- 低速门驱动功率损失
- 高雪崩强度
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 13.03722 | 13.03722 |
10+ | 11.63209 | 116.32097 |
100+ | 9.07100 | 907.10080 |
500+ | 7.49321 | 3746.60750 |
1000+ | 6.27416 | 6274.16200 |
2500+ | 6.27416 | 15685.40500 |
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这种STripFETV功率MOSFET技术是最新的改进之一,经过特别定制,可实现非常低的导通电阻,同时也是同类最佳FOM之一。
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