9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMP2160UFDBQ-7,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。DMP2160UFDBQ-7参考价格为0.61000美元。Diodes Incorporated DMP2160UFDBQ-7封装/规格:MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN。您可以下载DMP2160UFDBQ-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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DMP2160U-7是MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT-23,包括DMP2160系列,它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装,单位重量显示在数据表注释中,用于0.000282盎司,提供SMD/SMT等安装方式功能,包装盒设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及Si技术,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ)。此外,安装类型为表面安装,该器件以1通道数量的通道提供,该器件具有供应商器件封装的SOT-23-3,配置为单一,FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物,最大功率为1.4W,晶体管类型为1 P通道,漏极至源极电压Vdss为20V,输入电容Cis-Vds为627pF@10V,FET特性为标准,25°C的电流连续漏极Id为3.2A(Ta),最大Id Vgs的Rds为80mOhm@1.5A,4.5V,Vgs的最大Id为900mV@250μA,Pd功耗为1.4W,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为10.3 ns,上升时间为10.3纳秒,Vgs栅极-源极电压为12V,Id连续漏极电流为3.2A,Vds漏极-源极击穿电压为-20V,Rds导通漏极-漏极电阻为75m欧姆,晶体管极性为P沟道,典型关断延迟时间为46.5ns,典型接通延迟时间为12.5ns,沟道模式为增强。
DMP2160U-7-F,带有DIODES制造的用户指南。DMP2160U-7-F采用SOT-23封装,是IC芯片的一部分。
DMP2160U-7-HN,电路图由DIODES制造。DMP2160U-7-HN采用SOT23封装,是IC芯片的一部分。