9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTM50AM38STG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTM50AM38STG参考价格为159.16000美元。微芯片技术APTM50AM38STG封装/规格：MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4。您可以下载APTM50AM38STG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APTM50AM38SCTG带有引脚细节，包括散装封装，设计用于SP4封装外壳，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），提供底盘安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于SP3，以及2 N沟道（半桥）FET类型，该设备也可以用作694W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为500V，该器件提供11200pF@25V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性的碳化硅（SiC），25°C的电流连续漏极Id为90A，最大Id Vgs的Rds为45mOhm@45A，10V，Vgs的最大Id为5V@5mA，栅极电荷Qg Vgs为246nC@10V。
APTM50AM38FTG是MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4，包括5V@5mA Vgs th Max Id，它们设计用于与SP4供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于POWER MOS 7R，提供Rds on Max Id Vgs功能，如45 mOhm@45A，10V，POWER Max设计用于694W，以及散装包装，该设备也可用作SP4封装盒，它的工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），该器件为底盘安装型，该器件的输入电容Cis-Vds为11200pF@25V，栅极电荷Qg Vgs为246nC@10V，FET类型为2 N沟道（半桥），FET特性为标准，漏极-源极电压Vdss为500V，电流连续漏极Id 25°C为90A。
APTM50AM35FTG是MOSFET 2N-CH 500V 99A SP4，包括99A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在500V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表注释中显示了用于标准的FET特性，该标准提供FET类型特性，如2 N沟道（半桥），栅极电荷Qg Vgs设计为在280nC@10V下工作，除了14000pF@25V输入电容Cis Vds，该设备还可以用作底盘安装型，其工作温度范围为-40°C ~ 150°C（TJ），该设备采用SP4封装盒，该设备具有大容量封装，最大功率为781W，Rds On Max Id Vgs为39 mOhm@49.5A，10V，供应商设备封装为SP4，Vgs th Max Id为5V@5mA。
