9icnet为您提供由IXYS设计和生产的VMM650-01F，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VMM650-01F参考价格为361.19000美元。IXYS VMM650-01F封装/规格：MOSFET 2N-CH 100V 680A Y3-LI。您可以下载VMM650-01F英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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VMM300-03F是MOSFET 2N-CH 300V 290A Y3-DCB，包括HiPerFET？系列，它们设计用于散装包装，包装箱如数据表注释所示，用于Y3-DCB，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），安装类型设计用于底盘安装，以及Y3-DCC供应商设备包，该设备也可作为2 N通道（双）FET类型使用。此外，最大功率为1500W，该器件提供300V漏极到源极电压Vdss，该器件具有40000pF@25V输入电容Cis-Vds，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为290A，最大Id Vgs上的Rds为8.6mOhm@145A，10V，Vgs最大Id为4V@30mA，栅极电荷Qg-Vgs为1440nC@10V。
VMM45-02F是MOSFET 2N-CH 200V 45A TO-240AA，包括4V@4mA Vgs th Max Id，它们设计为与TO-240A供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于HiPerFET？，提供Rds On Max Id Vgs功能，例如45 mOhm@22.5A，10V，Power Max设计用于190W，以及散装包装，该设备也可以用作to-240AA封装盒，其工作温度范围为-40°C ~ 150°C（TJ），该设备采用底盘安装型，该设备具有7500pF@25V的输入电容Cis Vds，栅极电荷Qg Vgs为225nC@110V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为200V，电流连续漏极Id为25°C为45A。
VMM45-02FS，带有IXYS制造的电路图。VMM45-02FS在模块包中提供，是模块的一部分。
