- 应用范围：高速开关
- 特点：高ESD保护
- 极性：N-ch×2
- 世代：U-MOSⅦ-H
- 内部连接：独立
- 组件产品（Q1）：SSM3K7002KFU
- 组件产品（Q2）：SSM3K7002KFU
- AEC-Q101：合格（*）
- RoHS兼容产品（#）：可用
- 组装基地：泰国
特色
- 装配底座：2.1 V
- 装配底座：1.75Ω
- 装配底座：1.65Ω
- 装配底座：1.5Ω
- 装配底座：26 pF
- 装配底座：0.39 nC
应用
高速切换
SSM6N7002KFU,LF
- 描述:场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 300毫安 供应商设备包装: US6 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 东芝 (Toshiba)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 1.88315 | 1.88315 |
| 10+ | 1.54273 | 15.42738 |
| 100+ | 0.81772 | 81.77230 |
| 500+ | 0.53771 | 268.85650 |
| 1000+ | 0.36569 | 365.69400 |
| 3000+ | 0.32984 | 989.52600 |
| 6000+ | 0.28681 | 1720.91400 |
- 库存: 0
- 单价: ¥1.88315
-
数量:
- +
- 总计: ¥1.88
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 安装类别 表面安装
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 包装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 场效应管特性 标准
- 场效应管类型 2个N通道（双通道）
- 制造厂商 东芝 (Toshiba)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.1V@250A.
- 漏源电压标 (Vdss) 60V
- 供应商设备包装 US6
- 最大功率 285mW
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 40皮法 @ 10V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 300毫安
- 导通电阻 Rds(ON) 1.5欧姆@100毫安，10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 0.6nC @ 4.5V
SSM6N7002KFU,LF 产品详情
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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| SSM01511500SCN | 泰科航天 (TE) | SSM01511500SCN = SOLDER CUP | ¥121.44895 |
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SSM6N7002KFU,LF所属分类：场效应晶体管阵列，SSM6N7002KFU,LF 由 东芝 (Toshiba) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SSM6N7002KFU,LF价格参考￥1.883154，你可以下载 SSM6N7002KFU,LF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SSM6N7002KFU,LF规格参数、现货库存、封装信息等信息！
东芝 (Toshiba)
东芝电子设备和存储公司提供了一系列支持技术解决方案，使OEM、ODM、CMs和无晶圆厂芯片公司能够为计算、网络、通信、数字消费、汽车和其他市场开发先进的集成产品。
