9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7288DP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7288DP-T1-GE3参考价格为1.60000美元。Vishay Siliconix SI7288DP-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO-8。您可以下载SI7288DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI7272DP-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表中显示了用于SI7272DP GE3的零件别名，该SI7272DP-GE3提供单位重量功能，例如0.017870盎司，安装样式设计为适用于SMD/SMT，以及PowerPAKR SO-8双封装外壳，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2个通道数，供应商器件封装为PowerPAKR SO-8双通道，配置为双双漏极，FET类型为2 N通道（双通道），最大功率为22W，晶体管类型为2 N沟道，漏极-源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为1100pF@15V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为25A，最大Id Vgs为9.3 mOhm@15A、10V，Vgs最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为26nC@10V，Pd功耗为3.6 W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为10 ns，上升时间为15 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为15 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Vgs第h栅极-源极端电压为2.5 V，并且Rds导通漏极-源极电阻为9.3mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为22ns，典型接通延迟时间为20ns，Qg栅极电荷为17nC，沟道模式为增强。
SI7270DP-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8，包括2.8V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于2 N沟道晶体管类型，晶体管极性显示在数据表注释中，用于N沟道，提供TrenchFET等商标功能，技术设计用于Si，以及PowerPAKR SO-8双供应商器件包，该器件也可以用作TrenchFETR系列。此外，Rds On Max Id Vgs为21mOhm@8A，10V，该设备的最大功率为17.8W，该设备具有封装带和卷轴（TR），封装外壳为PowerPAKR SO-8 Dual，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为表面安装，输入电容Ciss Vds为900pF@15V，栅极电荷Qg Vgs为21nC@10V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为8A。
SI7288DP，带有VISHAY制造的电路图。SI7288DP在QFN封装中提供，是FET阵列的一部分。
