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STL76DN4LF7AG

  • 描述:场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 供应商设备包装: PowerFlat(5x6) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 12.24050 12.24050
10+ 11.01645 110.16451
100+ 8.85661 885.66180
500+ 7.27665 3638.32600
1000+ 6.61508 6615.08500
3000+ 6.61515 19845.47400
  • 库存: 0
  • 单价: ¥10.21249
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥12.24
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 标准
  • 场效应管类型 2个N通道(双通道)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
  • 漏源电压标 (Vdss) 40伏
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 17nC @ 10V
  • 包装/外壳 8-PowerVDFN
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 供应商设备包装 PowerFlat(5x6)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 40A (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 6毫欧姆 @ 10A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 956华氏度@25伏
  • 最大功率 71W (Tc)

STL76DN4LF7AG 产品详情

N通道MDmesh™ K5系列,SuperMESH5™, STMicroelectronics公司

特色

  • 行业最慢的RDS(on)xarea
  • 行业最佳FoM(绩效指标)
  • 超低门电荷
  • 100%雪崩测试
  • 齐纳保护
STL76DN4LF7AG所属分类:场效应晶体管阵列,STL76DN4LF7AG 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STL76DN4LF7AG价格参考¥10.212489,你可以下载 STL76DN4LF7AG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STL76DN4LF7AG规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

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