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STL15DN4F5

  • 描述:场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A 供应商设备包装: PowerFlat(5x6) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 22.81513 22.81513
10+ 20.46843 204.68435
100+ 16.45079 1645.07990
500+ 13.51597 6757.98800
1000+ 12.28721 12287.21800
3000+ 12.28721 36861.65400
  • 库存: 0
  • 单价: ¥18.25211
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥22.82
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 场效应管类型 2个N通道(双通道)
  • 漏源电压标 (Vdss) 40伏
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 25nC @ 10V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 60A
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 包装/外壳 8-PowerVDFN
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 供应商设备包装 PowerFlat(5x6)
  • 最大功率 60W
  • 导通电阻 Rds(ON) 9欧姆@7.5A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1550皮法@25V

STL15DN4F5 产品详情

该器件是使用STMicroelectronics的STripFET F5技术开发的双N沟道功率MOSFET。该器件经过优化,可实现极低的导通电阻,从而使FoM成为同类产品中的佼佼者。

特色

  • 设计用于自动驾驶应用,AEC-Q101合格
  • 极低RDS(打开)
  • Verylowgatecharge公司
  • 低门驱动功率损失
  • 可湿侧包装
STL15DN4F5所属分类:场效应晶体管阵列,STL15DN4F5 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STL15DN4F5价格参考¥18.252108,你可以下载 STL15DN4F5中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STL15DN4F5规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

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