该器件是使用STMicroelectronics的STripFET F5技术开发的双N沟道功率MOSFET。该器件经过优化,可实现极低的导通电阻,从而使FoM成为同类产品中的佼佼者。
特色
- 设计用于自动驾驶应用,AEC-Q101合格
- 极低RDS(打开)
- Verylowgatecharge公司
- 低门驱动功率损失
- 可湿侧包装
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 22.81513 | 22.81513 |
10+ | 20.46843 | 204.68435 |
100+ | 16.45079 | 1645.07990 |
500+ | 13.51597 | 6757.98800 |
1000+ | 12.28721 | 12287.21800 |
3000+ | 12.28721 | 36861.65400 |
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该器件是使用STMicroelectronics的STripFET F5技术开发的双N沟道功率MOSFET。该器件经过优化,可实现极低的导通电阻,从而使FoM成为同类产品中的佼佼者。
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