9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTC60DSKM24T3G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTC60DSKM24T3G参考价格为117.43000美元。微芯片技术APTC60DSKM24T3G封装/规格：MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3。您可以下载APTC60DSKM24T3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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APTC60AM83B1G，带引脚细节，包括CoolMOS？系列，它们设计用于托盘包装，包装箱如数据表注释所示，用于SP1，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），安装类型设计用于底盘安装，以及SP1供应商设备包，该设备也可以用作3 N通道（相腿+升压斩波器）FET类型。此外，最大功率为250W，器件提供600V漏极到源极电压Vdss，器件具有7200pF@25V输入电容Cis-Vds，FET特性为超级结，25°C时的电流连续漏极Id为36A，最大Id Vgs上的Rds为83 mOhm@24.5A，10V，Vgs最大Id为5V@3mA，栅极电荷Qg-Vgs为250nC@10V。
APTC60AM83BC1G带用户指南，包括5V@3mA Vgs th Max Id，设计用于SP1供应商设备包，数据表注释中显示了用于CoolMOS？的系列？，提供Rds On Max Id Vgs功能，如83 mOhm@24.5A，10V，Power Max设计用于250W，以及托盘封装，该设备也可以用作SP1封装盒，其工作温度范围为-40°C ~ 150°C（TJ），该设备为底盘安装型，该设备具有7200pF@25V的输入电容Ciss Vds，栅极电荷Qg Vgs为250nC@10V，FET类型为3 N沟道（相腿+升压斩波器），FET特性为超级结，漏极至源极电压Vdss为600V，电流连续漏极Id 25°C为36A。
APTC60BM24T3G是MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3F，包括95A电流连续漏极Id 25°C，设计用于600V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于标准的FET特性，该标准提供FET类型特性，如2 N沟道（半桥），栅极电荷Qg Vgs设计用于300nC@10V，以及14400pF@25V输入电容Cis-Vds，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ）。此外，封装外壳为SP3，器件采用散装封装，器件最大功率为462W，Rds On Max Id Vgs为24 mOhm@47.5A，10V，系列为CoolMOS？，供应商设备包为SP3，Vgs th Max Id为3.9V@5mA。
