9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7998DP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7998DP-T1-GE3价格参考1.67000美元。Vishay Siliconix SI7998DP-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8。您可以下载SI7998DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI7994DP-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK SO-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了SI7994D-GE3中使用的零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及PowerPAKR SO-8双封装外壳，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2个通道数，供应商器件封装为PowerPAKR SO-8双通道，配置为双双漏极，FET类型为2 N通道（双通道），最大功率为46W，晶体管类型为2 N沟道，漏极-源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为3500pF@15V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为60A，最大Id Vgs上的Rds为5.6mOhm@20A、10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为80nC@10V，Pd功耗为3.5W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为15 ns，上升时间为15纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为20 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds漏极源极电阻为5.6 m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为40ns，典型接通延迟时间为35ns，信道模式为增强。
SI7997DP-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO-8，包括2.2V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在-2.2 V Vgs th栅极-源极阈值电压下工作，Vgs栅极-源电压显示在数据表注释中，用于20 V，提供Vds漏极-源极击穿电压功能，例如-30 V，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件采用PowerPAKR SO-8双供应商器件封装，该器件具有系列TrenchFETR，Rds On Max Id Vgs为5.5 mOhm@20A，10V，Rds On漏极-源极电阻为5.5 mOhm，Qg栅极电荷为106 nC，功率最大值为46W，Pd功耗为46 W，部件别名为SI7997DP-GE3，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为PowerPAKR SO-8 Dual，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数量为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最低工作温度范围是-55°C，最大工作温度范围+150°C，输入电容Ciss Vds为6200pF@15V，Id连续漏极电流为-60 A，栅极电荷Qg Vgs为160nC@10V，正向跨导最小值为71 S，FET类型为2 P通道（双），FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为60A，配置为双。
SI7997DP，带有VISHAY制造的电路图。SI7997DP采用QFN封装，是FET阵列的一部分。
