Microchip DN2625DK6-G是一种低阈值耗尽型（常开）MOSFET晶体管，采用先进的垂直DMOS结构。该设计将双极晶体管的功率处理能力与MOS器件的高输入阻抗和正温度系数相结合。
特征低栅极阈值电压
设计为源驱动
低开关损耗
低有效输出电容
设计用于感应负载
特色
- 极低的栅极阈值电压
- 设计为源驱动
- 低开关损耗
- 低有效输出电容
- 设计用于感应负载
- MD2130驱动时，与低二次谐波匹配良好
DN2625DK6-G
- 描述:场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 耗尽型 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.1A 供应商设备包装: 8-DFN (5x5) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 微芯 (Microchip)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 25.27772 | 25.27772 |
| 25+ | 21.03338 | 525.83455 |
| 100+ | 19.04158 | 1904.15840 |
- 库存: 0
- 单价: ¥22.88756
-
数量:
- +
- 总计: ¥25.28
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 部件状态 可供货
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
- 最大功率 -
- 安装类别 表面安装
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 场效应管类型 2个N通道（双通道）
- 制造厂商 微芯 (Microchip)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 1.1A
- 场效应管特性 耗尽型
- 漏源电压标 (Vdss) 250伏
- 包装/外壳 8-VDFN Exposed Pad
- 导通电阻 Rds(ON) 3.5欧姆@1A，0V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 7.04nC @ 1.5V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1000皮法@25V
- 供应商设备包装 8-DFN (5x5)
DN2625DK6-G 产品详情
DN2625DK6-G N沟道MOSFET晶体管
DN2625DK6-G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | DN230-20GP | 广赖 (Hirose) | TOOLING | ¥27.93384 |
| DN230-28GP | 广赖 (Hirose) | TOOLING | ¥1,171.44926 |
| DN230-36GP | 广赖 (Hirose) | TOOLING | ¥182.15894 |
| DN230-50GP | 广赖 (Hirose) | TOOLING | ¥285.36736 |
| DN231-GP | 广赖 (Hirose) | TOOLING | ¥530.18028 |
| DN231-PB | 广赖 (Hirose) | TOOLING | ¥284.60251 |
| DN20B-20S(50) | 广赖 (Hirose) | CONN D-TYPE RCPT POS T/H | ¥87.5232 |
| DN20B-36S(50) | 广赖 (Hirose) | CONN D-TYPE RCPT POS T/H | ¥134.99317 |
| DN20B-50S(50) | 广赖 (Hirose) | CONN D-TYPE RCPT POS T/H | ¥83.06158 |
| DN20B-50S(51) | 广赖 (Hirose) | CONN D-TYPE RCPT POS T/H | ¥118.36347 |
DN2625DK6-G所属分类：场效应晶体管阵列，DN2625DK6-G 由 微芯 (Microchip) 设计生产，可通过久芯网进行购买。DN2625DK6-G价格参考￥22.887564，你可以下载 DN2625DK6-G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询DN2625DK6-G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
微芯 (Microchip)
Microchip Technology Inc.是微控制器和模拟半导体的领先供应商，为全球数千种不同的客户应用程序提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的上市时间。Microchip总部位于亚利...
