9icnet为您提供由Nexperia USA Inc.设计和生产的BUK9K29-100E，115，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。BUK9K29-100E，115价格参考$1.81000。Nexperia USA Inc.BUK9K29-100E，115封装/规格：MOSFET 2N-CH 100V 30A LFPAK56D。您可以下载BUK9K29-100E，115英文数据，引脚图，数据表数据表功能手册，数据包含二极管整流器的详细引脚图，功能的应用电路图，电压，使用方法和教程。
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BUK9K18-40E，115，带引脚细节，包括Automotive、AEC-Q101、TrenchMOS？系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，包装箱如数据表注释所示，用于SOT-1205，8-LFPAK56，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及LFPAK56D供应商设备包，该设备也可以用作2 N通道（双）FET类型。此外，功率最大值为38W，该器件提供40V漏极到源极电压Vdss，该器件具有1061pF@25V输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为30A，最大Id Vgs上的Rds为16 mOhm@10A，10V，Vgs最大Id为2.1V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为14.5nC@10V。
BUK9K25-40EX带有用户指南，包括2.1V@1mA Vgs th Max Id，它们设计为使用Si技术操作，数据表说明中显示了用于LFPAK56D的供应商设备包，该LFPAK56D提供了TrenchMOS？、？，Rds On Max Id Vgs设计为在24 mOhm@5A、10V以及32W最大功率下工作，该设备也可以用作Digi-ReelR替代包装包装。此外，封装外壳为SOT-1205，8-LFPAK56，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），器件具有安装型表面安装，输入电容Ciss Vds为701pF@25V，栅极电荷Qg Vgs为6.3nC@5V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极至源极电压Vdss为40V，25°C的电流连续漏电流Id为18.2A。
BUK9K29-100E，带有NXP制造的电路图。BUK9K29-100E采用SMD8封装，是IC芯片的一部分。
