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ALD110814SCL是MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC，包括EPADR系列，数据表注释中显示了用于16-SOIC（0.154“，3.90mm宽）的包装箱，其工作温度范围为0°C~70°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及16-SOIC供应商器件封装，该器件也可以用作4N通道、匹配对FET类型。此外，最大功率为500mW，该器件提供10.6V漏极到源极电压Vdss，该器件具有2.5pF@5V的输入电容Cis-Vds，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为12mA，3mA，Rds On Max Id Vgs为500 Ohm@5.4V，Vgs th Max Id为1.42V@1μa。
ALD1108ESCL是MOSFET 4N-CH 10V 16SOIC，包括1.01V@1μA Vgs th Max Id，它们设计为与16-SOIC供应商器件包一起工作，系列如数据表注释所示，用于EPADR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如500 Ohm@5V，Power Max设计为600mW，以及管封装，该器件也可以用作16-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒，其工作温度范围为0°C~70°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有25pF@5V的输入电容Cis-Vds，FET类型为4 N通道，匹配对，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为10V。
ALD1108EPCL是MOSFET 4N-CH 10V 16DIP，包括10V漏极到源极电压Vdss，它们设计为与标准FET功能一起工作，FET类型如数据表注释所示，用于4 N通道匹配对，提供输入电容Cis-Vds功能，如25pF@5V，安装类型设计为在通孔中工作，它的工作温度范围为0°C~70°C（TJ），该器件也可以用作16-DIP（0.300“，7.62mm）封装盒。此外，封装为管状，该器件的最大功率为600mW，该器件具有500欧姆@5V的Rds On Max Id Vgs，系列为EPADR，供应商器件封装为16-PDIP，Vgs th Max Id为1.01V@1μa。
