9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7938DP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7938DP-T1-GE3价格参考1.62000美元。Vishay Siliconix SI7938DP-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 40V 60A PPAK SO-8。您可以下载SI7938DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI7925DN-T1-E3是MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8，包括TrenchFETR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）封装，数据表说明中显示了用于PowerPAKR 1212-8 Dual的封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及PowerPAKR 1212-8双供应商器件封装，该器件也可以用作2P沟道（双）FET类型。此外，最大功率为1.3W，该器件提供12V漏极到源极电压Vdss，该器件具有FET功能的逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为4.8A，最大Id Vgs的Rds为42 mOhm@6.5A，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μa，栅极电荷Qg Vgs为12nC@4.5V。
SI7925DN-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8，包括1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与PowerPAKR 1212-8双供应商器件封装一起工作，系列如数据表说明所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如42 mOhm@6.5A，4.5V，Power Max设计为1.3W，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可作为PowerPAKR 1212-8双封装外壳使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有12nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 P通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为12V，25°C的电流连续漏电流Id为4.8A。
SI7925DN，带有SI制造的电路图。SI7925DN可在QFN1212-8封装中获得，是FET阵列的一部分。
