起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 82.85877 | 82.85877 |
| 25+ | 68.99586 | 1724.89662 |
| 100+ | 62.86112 | 6286.11290 |
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TC8020K6-G由56引线QFN封装中的六对高电压、低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成。所有MOSFET都具有集成的栅-源电阻器和栅-源齐纳二极管钳位器，这是高压脉冲发生器应用所需的。互补、高速、高压、栅极箝位N沟道和P沟道MOSFET对利用了先进的垂直DMOS结构和成熟的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力，并且具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有MOS结构的特征，该器件没有热失控和热引起的二次击穿。垂直DMOS FET非常适合于广泛的开关和放大应用，其中需要非常低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入和输出电容以及快速的开关速度。
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | TC80 | 康奈尔·杜比利尔 (Cornell Dubilier) | 电容: 80 F 公差: -10%，+50% 额定电压: 450伏 包装/外壳: 轴向，罐 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥68.95241 |
 | TC807 | 康奈尔·杜比利尔 (Cornell Dubilier) | 电容: 100F 公差: -10%，+50% 额定电压: 450伏 包装/外壳: 轴向，罐 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥4.86723 |
 | TC822-SC-1 | 阿西亚·布朗·勃法瑞 (ABB Power ) | SG TC822SC1 3/4 CONN SSCREW EMT | ¥15.42738 |
| TC821-SC-1 | 阿西亚·布朗·勃法瑞 (ABB Power ) | SG TC821SC1 1/2 CONN SSCREW EMT | ¥17.88996 |
| TC823-SC-5 | 阿西亚·布朗·勃法瑞 (ABB Power ) | SG TC823SC5 1 CONN SSCREW EMT DC | ¥317.23902 |
 | TC86F-1-101 | 美国柏恩 (Bourns) | 调整类型: 顶部调整 电阻: 100欧姆 公差: ±20% 功率（瓦特）: 0.3W 端接样式: PC引脚 安装类别: 通孔 | ¥12.51573 |
 | TC86F-1-201 | 美国柏恩 (Bourns) | 调整类型: 顶部调整 电阻: 200欧姆 公差: ±20% 功率（瓦特）: 0.3W 端接样式: PC引脚 安装类别: 通孔 | ¥9.64754 |
 | TC86F-1-501 | 美国柏恩 (Bourns) | 调整类型: 顶部调整 电阻: 500 Ohms 公差: ±20% 功率（瓦特）: 0.3W 端接样式: PC引脚 安装类别: 通孔 | ¥13.03722 |
 | TC86F-1-102 | 美国柏恩 (Bourns) | 调整类型: 顶部调整 电阻: 1千欧姆 公差: ±20% 功率（瓦特）: 0.3W 端接样式: PC引脚 安装类别: 通孔 | ¥102.64638 |
 | TC86F-1-202 | 美国柏恩 (Bourns) | 调整类型: 顶部调整 电阻: 2千欧姆 公差: ±20% 功率（瓦特）: 0.3W 端接样式: PC引脚 安装类别: 通孔 | ¥6.08404 |
Microchip Technology Inc.是微控制器和模拟半导体的领先供应商，为全球数千种不同的客户应用程序提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的上市时间。Microchip总部位于亚利...
