9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4936CDY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4936CDY-T1-GE3参考价格0.66000美元。Vishay Siliconix SI4936CDY-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC。您可以下载SI4936CDY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI4936CDY-T1-E3是MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SO，包括TrenchFETR系列，它们设计用于带卷（TR）封装，数据表注释中显示了用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）的封装盒，该封装盒提供Si等技术特性，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），以及表面安装安装类型，该器件也可以用作2信道数的信道。此外，供应商器件封装为8-SO，该器件提供2 N信道（双）FET型，器件最大功率为2.3W，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为325pF@15V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为5.8A，Rds On Max Id Vgs为40mOhm@5A，10V，Vgs th Max Id为3V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为9nC@10V，晶体管极性为N沟道。
SI4936CDY，带有SI制造的用户指南。SI4936CDY可在SOP-8封装中获得，是FET阵列的一部分。
SI4936CDY-T1，带有VISHAY制造的电路图。SI4936CDY-T1采用SO-8封装，是FET阵列的一部分。
