9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTM50HM65FT3G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTM50HM65FT3G参考价格139.99000美元。微芯片技术APTM50HM65FT3G封装/规格：MOSFET 4N-CH 500V 51A SP3。您可以下载APTM50HM65FT3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如APTM50HM65FT3G价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
APTM50HM35FG是MOSFET 4N-CH 500V 99A SP6，包括散装封装，它们设计为与SP6封装盒一起工作，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），提供底盘安装等安装类型功能，供应商设备包设计为在SP6中工作，以及4 N沟道（H桥）FET类型，该设备也可以用作781W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为500V，该器件提供14000pF@25V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性标准，25°C的电流连续漏极Id为99A，最大Id Vgs的Rds为39 mOhm@49.5A、10V，Vgs最大Id为5V@5mA，栅极电荷Qg Vgs为280nC@10V。
APTM50HM38FG是MOSFET 4N-CH 500V 90A SP6，包括5V@5mA Vgs和最大Id，它们设计用于与SP6供应商设备包一起工作，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于45 mOhm@45A，10V，提供功率最大功能，如694W，包装设计用于批量工作，以及SP6包装箱，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为底盘安装，该器件提供11200pF@25V输入电容Cis-Vds，该器件具有246nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为4 N沟道（H桥），FET特性为标准，漏极-源极电压Vdss为500V，25°C电流连续漏极Id为90A。
APTM50HM35F带有ADVANCED POWER TECHNOLOGY LTD.制造的电路图。APTM50HM 35F可在模块包中获得，是模块的一部分。
