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SI4501BDY-T1-GE3

  • 描述:场效应管类型: N和P通道,公共漏极 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30V, 8V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A、8A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
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数量 单价 合计
1+ 4.78031 4.78031
10+ 4.20812 42.08125
100+ 3.22526 322.52630
500+ 2.54950 1274.75050
1000+ 2.03960 2039.60100
2500+ 1.91212 4780.31500
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 25nC @ 10V
  • 制造厂商 黑森尔 (Vishay Siliconix)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@250A.
  • 场效应管类型 N和P通道,公共漏极
  • 导通电阻 Rds(ON) 17毫欧姆@10A,10V
  • 漏源电压标 (Vdss) 30V, 8V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 12A、8A
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 805皮法 @ 15V
  • 最大功率 4.5W, 3.1W

SI4501BDY-T1-GE3 产品详情

SI4501BDY-T1-GE3所属分类:场效应晶体管阵列,SI4501BDY-T1-GE3 由 黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SI4501BDY-T1-GE3价格参考¥4.780314,你可以下载 SI4501BDY-T1-GE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SI4501BDY-T1-GE3规格参数、现货库存、封装信息等信息!

黑森尔 (Vishay Siliconix)

黑森尔 (Vishay Siliconix)

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...

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