9icnet为您提供由IXYS设计和生产的VMM90-09F，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VMM90-09F价格参考249.20000美元。IXYS VMM90-09F封装/规格：MOSFET 2N-CH 900V 85A Y3-LI。您可以下载VMM90-09F英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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VMM85-02F是MOSFET 2N-CH 200V 84A Y4，包括HiPerFET？系列，它们设计用于散装包装，包装箱如数据表注释所示，用于Y4，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），安装类型设计用于机箱安装，以及Y4供应商设备包，该设备也可以用作2 N通道（双）FET类型。此外，功率最大值为370W，该器件提供200V漏极到源极电压Vdss，该器件具有15000pF@25V输入电容Cis-Vds，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为84A，最大Id Vgs上的Rds为25mOhm@500mA，10V，Vgs最大Id为4V@8mA，栅极电荷Qg-Vgs为450nC@110V。
VMM650-01F是MOSFET 2N-CH 100V 680A Y3-LI，包括4V@30mA Vgs th Max Id，它们设计为与Y3 LI供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于HiPerFET？，提供Rds On Max Id Vgs功能，如2.2 mOhm@500A，10V，包装设计为散装工作，以及Y3 Li包装箱，其工作温度范围为-40°C ~ 150°C（TJ）。此外，安装类型为底盘安装，该器件提供1440nC@10V栅极电荷Qg Vgs，该器件具有2 N沟道（双）FET类型，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为100V，电流连续漏极Id 25°C为680A。
VMM85-02FS，带有IXYS制造的电路图。VMM85-02FS在模块包中提供，是模块的一部分。
