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PMGD290UCEAX是MOSFET N/P-CH 20V 6TSOP，包括Digi-ReelR替代封装封装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，数据表说明中显示了用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363的封装盒，该封装盒提供Si等技术特性，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），以及表面安装安装类型，该设备也可以用作2信道数信道。此外，供应商设备包为6-TSSOP，该设备为1 N通道1 P通道配置，该设备具有FET型N和P通道，最大功率为280mW，晶体管类型为1 N信道1 P通道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为83pF@10V，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为725mA，500mA，最大Id Vgs为380 mOhm@500mA，4.5V，Vgs最大Id为1.3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为0.68nC@4.5V，Pd功耗为990 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为31 ns 72 ns，上升时间为4 ns 30 ns，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为725 mA，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，Vgs第栅极-源阈值电压为0.75 V-0.8 V，Rds漏极源极电阻为1.8欧姆，晶体管极性为N沟道P沟道，典型关断延迟时间为86 ns 80 ns，典型接通延迟时间为6ns 18ns，Qg栅极电荷为0.45nC 0.76nC，正向跨导最小值为1.6S 610mS，信道模式为增强。
PMGD290UCEA和NXP制造的用户指南。PMGD290UCEA在SOT-363封装中提供，是FET阵列的一部分。
PMGD290XN，带有NXP制造的电路图。PMGD290XN在SOT363封装中提供，是FET阵列的一部分。
