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PMDT290UCE,115是MOSFET N/P-CH 20V SOT666,包括Automotive、AEC-Q101、TrenchMOS?系列,它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装,包装箱如SOT-563、SOT-666中使用的数据表注释所示,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ),安装类型设计用于表面安装,以及SOT-6660供应商设备包,该设备也可以用作N和P通道FET类型。此外,最大功率为500mW,该器件提供20V漏极到源极电压Vdss,该器件具有83pF@10V的输入电容Cis-Vds,FET特性为逻辑电平门,25°C的电流连续漏极Id为800mA、550mA,Rds On Max Id Vgs为380mOhm@500mA、4.5V,Vgs th Max Id为0.95V@250μa,栅极电荷Qg-Vgs为0.68nC@4.5V。
PMDR-Z是预先印刷的标记胶带填充物,包括1.120000盎司单位重量,其设计符合商业资格,材料如数据表注释所示,用于聚酯。
PMDT290UCE115是NXP制造的MOSFET N/P-CH 20V SOT666。PMDT290UCE115采用SOT-563、SOT-666封装,是FET阵列的一部分,支持MOSFET N/P-CH 20V SOT666。