9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4532CDY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4532CDY-T1-GE3参考价格为0.72000美元。Vishay Siliconix SI4532CDY-T1-GE3封装/规格：MOSFET N/P-CH 30V 6A 8-SOIC。您可以下载SI4532CDY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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Si4532CDY-T1-GE3是MOSFET N/P-CH 30V 6A 8-SOIC，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。Si4532CDY-GE3提供单位重量功能，如0.006596盎司，安装类型设计为在SMD/SMT中工作，除了8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件有2个通道数，供应商器件封装为8-SO，配置为双双漏极，FET类型为N和P通道，最大功率为2.78W，晶体管类型为1 N通道1 P通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为305pF@15V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为6A、4.3A，最大Id Vgs的Rds为47 mOhm@3.5A、10V，Vgs的最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为9nC@10V，Pd功耗为2.78 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为6 nS 7.7 nS，上升时间为12nS 13nS，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为6A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为38mOhms 73mOhms，晶体管极性为N沟道P沟道，典型关断延迟时间为14nS 17nS，典型接通延迟时间为7nS 5.5nS，Qg栅极电荷为6nC 7.8nC，正向跨导Min为7S 7S，信道模式为增强。
SI4532AEY-T1，带有VISHAY制造的用户指南。SI4532AEY-T1采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
SI4532CDY，带有SI制造的电路图。SI4532CDY在SOP-8封装中提供，是FET阵列的一部分。
SI4532CDY-T1，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SI4532CDY-T1采用SO-8封装，是FET阵列的一部分。
