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SI-7510是IC BRIDGE DRIVER标准杆数30DIP，包括管包装，它们设计用于30-DIP（0.400“，10.16mm）封装外壳，数据表中显示了用于功率MOSFET的技术，其工作温度范围为-10°C~150°C（TJ），安装型设计用于通孔，以及驱动器-完全集成、控制和功率级功能，该设备也可作为通用应用。此外，该接口是并联的，该设备提供3 V~5.5 V电压供应，该设备具有供应商设备包的30-DIP，电流输出为6A，输出配置为半桥（5），电压负载为10 V~42 V，电机型步进器为多相，阶跃分辨率为1，1/2。
SI7530DP-T1-E3是MOSFET N/P-CH 60V 3A PPAK SO-8，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于PowerPAKR SO-8双供应商器件封装，系列如数据表说明所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如75 mOhm@4.6A，10V，Power Max设计用于1.4W，1.5W，以及Digi-ReelR封装，该器件也可以用作PowerPAKR SO-8双封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有20nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为N和P沟道，FET特性为逻辑电平栅极，漏极到源极电压Vdss为60V，电流连续漏极Id 25°C为3A，3.2A中。
SI7530DP带有SI制造的电路图。SI7530DPQFN-8封装，是FET阵列的一部分。
