9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4554DY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4554DY-T1-GE3参考价格为0.82000美元。Vishay Siliconix SI4554DY-T1-GE3封装/规格：MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SO。您可以下载SI4554DY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI4544DY-T1-E3是MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC，包括TrenchFETR系列，它们设计用于带卷（TR）封装，数据表注释中显示了用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）的包装箱，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装型设计用于表面安装，以及8-SO供应商器件包，该器件也可以用作N和P沟道、公共漏极FET型。此外，最大功率为2.4W，该器件提供30V漏极到源极电压Vdss，该器件具有FET功能的逻辑电平门，最大Id Vgs的Rds为35mOhm@6.5A，10V，Vgs最大Id为1V@250μa（最小），栅极电荷Qg Vgs为35nC@10V。
SI4544DY-T1-GE3是MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC，包括1V@250μA（Min）Vgs th Max Id，它们设计用于与8-SO供应商设备包一起工作，系列如数据表说明所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如35mOhm@6.5A，10V，Power Max设计用于2.4W，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可以用作8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有35nC@10V的栅极电荷Qg Vgs，FET类型为N和P沟道，公共漏极，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V。
SI4554DY-T1-E3，带有VISHAY制造的电路图。SI4554DY-T1-E3采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
