9icnet为您提供由中央半导体公司设计和生产的CP647-MJ11015-WN，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CP647-MJ11015-WN参考价格为0.37美元。中央半导体公司CP647-MJ11015-WN封装/规格：TRANS PNP DARL 30A 120V DIE。您可以下载CP647-MJ11015-WN英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MJ11012G是TRANS NPN DARL 60V 30A TO-3，包括MJ11012系列，设计用于托盘包装，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-204AA、TO-3等包装箱功能，安装类型设计用于通孔以及TO-3供应商设备包，该设备也可以用作单一配置。此外，功率最大值为200W，该器件采用NPN-达林顿晶体管类型，该器件具有30A的电流收集器Ic Max，电压收集器-发射器击穿最大值为60V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为1000@20A，5V，Vce饱和最大值Ib Ic为4V@300mA，30A，电流收集器截止最大值为1mA，频率转换为4MHz，Pd功耗为200W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为60 V，晶体管极性为NPN，集电极基极电压VCBO为60 V；发射极基极电压VEBO为5 V，最大直流集电极电流为30 A，并且连续集电极电流为30A，并且DC集电极基极增益hfe Min为200 1000。
MJ11013是达林顿晶体管PNP功率，包括0.225789盎司的单位重量，它们设计用于PNP晶体管极性，系列如数据表注释所示，用于MJ11013，提供Pd功率耗散功能，如200 W，包装设计用于管，以及to-3封装盒，该设备也可以用作通孔安装型。此外，最大直流集电极电流为30 A，该设备提供-5 V发射极基极电压VEBO，该设备具有1000的直流集电极基极增益hfe Min，配置为单级，集电极-发射极电压VCEO Max为90 V，集电极基极电压VCBO为90 V。
MJ11014，电路图由MOT制造。MJ11014采用TO-3封装，是IC芯片的一部分。
