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FDPC8016S是MOSFET 2N-CH 25V 8PWRCLIP，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.007328盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于8-PowerWDFN，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2信道数量的信道，该器件具有8-PQFN（5x6），电源56为供应商设备包，配置为双路，FET类型为2 N信道（双路）不对称，最大功率为2.1W、2.3W，晶体管类型为2 N-信道，漏极至源极电压Vdss为25V，输入电容Ciss Vds为2375pF@13V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为20A，35A，Rds On最大Id Vgs为3.8 mOhm@20A，10V，Vgs th最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为35nC@10V，Pd功耗为21 W 42 W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为2 ns 3 ns，上升时间为2 ns4 ns，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为60 A 100 A，Vds漏极-源极击穿电压为25 V，Vgs栅-源极阈值电压为1.3 V 1.5 V，Rds漏极源极电阻为1.5 mOhms 3.9 mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为24ns 38ns，典型接通延迟时间为8ns 13ns，Qg栅极电荷为25nC 67nC，正向跨导Min为182S 241S，沟道模式为增强。
FDPC8014AS带有用户指南，包括2.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于800 mV 1 V Vgs th栅极-源极阈值电压，Vgs栅极-源电压如数据表注释所示，用于+/-12 V+/-12 V，提供Vds漏极-源极击穿电压功能，如25 V 25 V，典型开启延迟时间设计为8 ns 16 ns，该器件还可以用作2N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有供应商器件封装的电源夹56，系列为PowerTrenchR，上升时间为2 nS 6 nS，Rds On Max Id Vgs为3.8 mOhm@20A，10V，漏极-源极电阻为5.3 mOhm 1.5 mOhm，Qg栅极电荷为25 nC 97 nC，功率最大值为2.1W，2.3W，Pd功耗为21 W 37 W，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为8-PowerWDFN，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围是-55°C，其最大工作温度范围为+150 C，输入电容Cis-Vds为2375pF@13V，Id连续漏极电流为59 A 159 A，栅极电荷Qg-Vgs为35nC@10V，正向跨导最小值为182 S 296 S，FET类型为2 N沟道（双）不对称，FET特性为标准，下降时间为2 ns 5 ns，漏极到源极电压Vdss为25V，25°C的电流连续漏极Id为20A，40A，配置为双重，通道模式为增强。
FDPC8013S是MOSFET 2N-CH 30V 13A/26A 3.3MM，包括双配置，它们设计用于13A，26A电流连续漏极Id 25°C，漏极到源极电压Vdss如数据表注释所示，用于30V，提供2 ns 4 ns等下降时间功能，FET功能设计用于逻辑电平门，以及2 N沟道（双）FET类型，该器件还可以用作53 S 168 S正向跨导最小值。此外，栅极电荷Qg Vgs为13nC@10V，该器件提供10 A 22 A Id连续漏电流，该器件具有827pF@15V输入电容Ciss Vds，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，安装类型为表面安装，安装类型为SMD/SMT，信道数为2信道，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），封装外壳为8-PowerWDFN，封装为Digi-ReelR交替封装，Pd功耗为2 W，最大功率为800mW、900mW，Qg栅极电荷为13 nC 44 nC，漏极-源极电阻为9.6 mOhms 2.7 mOhms，Rds On Max Id Vgs为6.4 mOhm@13A，10V，上升时间为2 ns 5 ns，系列为PowerTrenchR，供应商设备包为8-PQFN（3.3x3.3），Power33，技术为Si，晶体管极性为N通道，晶体管类型为2 N通道，典型关断延迟时间为16 ns 30 ns，典型开启延迟时间为6 ns 11 ns，单位重量为0.006773 oz，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Vgs栅源极电压为20 V，Vgsth栅源极阈值电压为1.5 V 1.7 V，Vggth最大Id为3V@250μA。
FDPC8014S是MOSFET 2N-CH 25V 8PWRCLIP，包括表面安装型，它们设计用于SMD/SMT安装型，技术如数据表说明所示，用于Si，提供PowerTrenchR等系列功能，晶体管极性设计用于N沟道，以及逻辑电平门FET功能，该设备也可以用作双非对称配置。此外，该封装为Digi-ReelR替代封装，该器件采用8-PQFN（5x6）、Power56供应商器件封装，器件具有8-PowerWDFN封装外壳，典型开启延迟时间为8 ns 16 ns，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），栅极电荷Qg Vgs为35nC@10V，漏极-源极电阻Rds为3.8 mOhms，Rds On Max Id Vgs为3.8 mOhm@20A，10V，漏极至源极电压Vdss为25V，Vds漏极-源极击穿电压为25 V，典型关断延迟时间为24 ns 47 ns，输入电容Ciss Vds为2375pF@13V，电流连续漏极Id 25°C为20A，41A，Id连续漏极电流为20 A，Vgs th Max Id为2.5V@250μA，最大功率为2.1W，2.3W，Pd功耗为2.1 W 2.3 W，上升时间为2 nS 6 nS，下降时间为2 nS 4 nS，FET类型为2 N沟道（双）不对称，晶体管类型为2 N-沟道，沟道数为2沟道，正向跨导最小值为182 S 315 S，单位重量为0.007328 oz，其最大工作温度范围为+150 C，其最低工作温度范围为-55℃。
