9icnet为您提供由其他公司设计和生产的AUIRF1405ZL-308，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。AUIRF1405ZL-308参考价格1.49000美元。其他AUIRF1405ZL-308包装/规格：汽车六角管N通道。您可以下载AUIRF1405ZL-308英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如AUIRF1405ZL-308价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
AUIRF1405是MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 5.3mOhms，包括管封装，它们设计用于0.211644 oz单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供330 W Pd功耗，其最小工作温度范围为-55 C，下降时间为110 ns，上升时间为190 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为169 A，Vds漏极-源极击穿电压为55 V，Rds漏极源极电阻为5.3 mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为130ns，典型接通延迟时间为13ns，Qg栅极电荷为170nC，沟道模式为增强。
AUIRF1405ZL是MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 5.3mOhms，包括20 V Vgs栅极-源极电压，设计用于55 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.084199盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如18 ns，典型的关闭延迟时间设计为48 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件以110 ns上升时间提供，器件具有5.3 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Qg栅极电荷为120 nC，Pd功耗为230 W，封装为管，封装外壳为I2PAK-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，并且Id连续漏极电流为150A，并且下降时间为82ns，并且配置为单，并且信道模式为增强。
AUIRF1404ZSTRR带有由IR制造的电路图。AUIRF1404 ZSTRR采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
