IRFHE4250DTRPBF
- 描述:场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 86A (Tc), 303A (Tc) 供应商设备包装: 32-PQFN (6x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌:
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渠道:
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起订量: 168
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 168+ | 12.96479 | 2178.08488 |
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 安装类别 表面安装
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 场效应管特性 标准
- 场效应管类型 2个N通道（双通道）
- 漏源电压标 (Vdss) 25伏
- 制造厂商
- 漏源电流 (Id) @ 温度 86A (Tc), 303A (Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 2.75欧姆@27A，10V，900欧姆@27A，10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.1V@35A、 2.1V@100A.
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 20nC @ 4.5V, 53nC @ 4.5V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 13伏时1735华氏度，13伏时4765华氏度
- 最大功率 156W（Tc）
- 包装/外壳 32-PowerVFQFN
- 供应商设备包装 32-PQFN (6x6)
IRFHE4250DTRPBF 产品详情
IRFHE4250D采用了IR的最新一代硅，并扩展了世界上第一个顶部裸露的功率块，其功率密度甚至高于常规功率块。顶部裸露的6 x 6 PQFN封装具有优异的热性能、低导通电阻（RDS（on））、其栅极电荷（Qg）提供了优异的功率密度和较低的开关损耗，以缩小PCB尺寸并提高整体系统效率，以及背面安装的超薄外形。与同类最佳的传统功率块器件相比，IRFHE4250D FastIRFET双功率MOSFET在25A时可将功率损耗降低5%以上。新的25 V设备针对12 V输入DC-DC同步降压应用，包括先进的电信和网络通信设备、服务器、图形卡以及台式机、Ultra book和笔记本电脑。
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IRFHE4250DTRPBF所属分类：场效应晶体管阵列，IRFHE4250DTRPBF 由 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRFHE4250DTRPBF价格参考￥12.964791，你可以下载 IRFHE4250DTRPBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRFHE4250DTRPBF规格参数、现货库存、封装信息等信息！