9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI1965DH-T1-BE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI1965DH-T1-BE3参考价格为0.53000美元。Vishay Siliconix SI1965DH-T1-BE3封装/规格：MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6。您可以下载SI1965DH-T1-BE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI1958DH-T1-E3是MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR封装，数据表说明中显示了用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363的封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，该器件也可以用作2N沟道（双）FET型。此外，功率最大值为1.25W，该器件提供20V漏极到源极电压Vdss，该器件具有105pF@10V的输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为1.3A，最大Id Vgs上的Rds为205 mOhm@1.3A，4.5V，Vgs最大Id为1.6V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为3.8nC@10V。
Si1965DH，配有Vishay制造的用户指南。Si1965DH采用SC70-6封装，是FET阵列的一部分。
SI1965DH-E3是VISHAY制造的MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6。SI1965DH-E3采用6-TSSOP、SC-88、SOT-363封装，是FET阵列的一部分，支持MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6。
