9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTM2AM06SG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTM0AM06SG参考价格252.21600美元。Microchip Technology APTM20AM06SG封装/规格：MOSFET 2N-CH 200V 300A SP6。您可以下载APTM2AM06SG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APTM02AM04FG是MOSFET 2N-CH 200V 372A SP6，包括功率MOSFET模块产品，它们设计用于散装包装，安装方式如数据表注释所示，用于螺丝，提供Power MOS 7等商品名称功能，包装箱设计用于SP6，其工作温度范围为-40°C～150°C（TJ），该设备也可以用作底盘安装型。此外，供应商设备包为SP6，该设备为单配置，该设备具有2 N沟道（半桥）FET型，最大功率为1250W，漏极至源极电压Vdss为200V，输入电容Ciss Vds为28900pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为372A，最大Id Vgs为5mOhm@186A，10V，Vgs最大Id为5V@10mA，栅极电荷Qg Vgs为560nC@10V，Pd功耗为1.25kW，下降时间为116ns，上升时间为64ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为372A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds导通漏极-源极电阻为4毫欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为88纳秒，典型接通延迟时间为32纳秒。
APTM02AM05FG是MOSFET 2N-CH 200V 317A SP6，包括5V@10mA Vgs th Max Id，它们设计用于与SP6供应商设备包一起工作，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于5 mOhm@158.5A，10V，提供最大功率功能，如1136W，包装设计用于批量工作，以及SP6封装外壳，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为底盘安装，该器件提供27400pF@25V输入电容Ciss Vds，该器件具有448nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N沟道（半桥），FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为200V，25°C电流连续漏极Id为317A。
APTM2AM05FTG是MOSFET 2N-CH 200V 333A SP4，包括333A电流连续漏极Id 25°C，它们设计用于200V漏极到源极电压Vdss，数据表注释中显示了用于标准的FET特性，该标准提供FET类型特性，如2 N沟道（半桥），栅极电荷Qg Vgs设计用于1184nC@10V，除了40800pF@25V输入电容Ciss Vds，该设备还可以用作底盘安装型，其工作温度范围为-40°C ~ 150°C（TJ），该设备采用SP4封装盒，该设备具有大量封装，最大功率为1250W，最大Id Vgs的Rds为5 mOhm@166.5A，10V，供应商设备封装为SP4，Vgs th Max Id为4V@8mA。
