9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTM2AM05FG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTM02AM05FG参考价格252.81200美元。Microchip Technology APTM02AM05FG封装/规格：MOSFET 2N-CH 200V 317A SP6。您可以下载APTM02AM05FG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的产品，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如APTM02AM05FG价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
APTM02AM04FG是MOSFET 2N-CH 200V 372A SP6，包括功率MOSFET模块产品，它们设计用于散装包装，安装方式如数据表注释所示，用于螺丝，提供Power MOS 7等商品名称功能，包装箱设计用于SP6，其工作温度范围为-40°C～150°C（TJ），该设备也可以用作底盘安装型。此外，供应商设备包为SP6，该设备为单配置，该设备具有2 N沟道（半桥）FET型，最大功率为1250W，漏极至源极电压Vdss为200V，输入电容Ciss Vds为28900pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为372A，最大Id Vgs为5mOhm@186A，10V，Vgs最大Id为5V@10mA，栅极电荷Qg Vgs为560nC@10V，Pd功耗为1.25kW，下降时间为116ns，上升时间为64ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为372A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds导通漏极-源极电阻为4毫欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为88纳秒，典型接通延迟时间为32纳秒。
APTM120VDA57T3G带用户指南，包括5V@2.5mA Vgs th Max Id，它们设计用于SP3供应商设备包，系列如数据表注释所示，用于POWER MOS 7R，提供Rds on Max Id Vgs功能，如684 mOhm@8.5A，10V，POWER Max设计用于390W，以及散装包装，该设备也可以用作SP3封装盒，它的工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），该器件为底盘安装型，该器件的输入电容Cis-Vds为5155pF@25V，栅极电荷Qg Vgs为187nC@10V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为标准，漏极-源极电压Vdss为1200V（1.2kV），电流连续漏极Id 25°C为17A。
APTM120UM70FAG是由Microsemi制造的分立半导体模块功率模块-Mosfet。是桥式整流器的一部分，并支持分立半导体模块功率模块-Mosfet，N通道1200V 171A（Tc）5000W（Tc）底盘安装SP6。
