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APTM100A13SG

  • 描述:场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 1000V(1千伏) 漏源电流 (Id) @ 温度: 65A 供应商设备包装: SP6 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 微芯 (Microchip)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 2 N通道(半桥)
  • 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 机箱安装
  • 场效应管特性 标准
  • 制造厂商 微芯 (Microchip)
  • 最大功率 1250W
  • 包装/外壳 SP6
  • 供应商设备包装 SP6
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 65A
  • 漏源电压标 (Vdss) 1000V(1千伏)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 6毫安
  • 导通电阻 Rds(ON) 32.5A、10V时为156欧姆
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 562nC @ 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 15200皮法@25V

APTM100A13SG 产品详情

[美高森美]

关于Microsemi
Microsemi Corporation(Nasdaq:MSC)为通信、国防和安全、航空航天和工业市场提供全面的半导体和系统解决方案组合。产品包括高性能、抗辐射和高可靠性的模拟混合信号集成电路、FPGA、SoC和ASIC;电源管理产品;定时和语音处理设备;射频解决方案;离散分量;安全技术和可扩展的防篡改产品;以太网IC和中跨供电;以及定制设计功能和服务。
Microsemi总部位于加利福尼亚州的Aliso Viejo,在全球拥有约3000名员工。了解更多信息,请访问www.microsoft.com网站.

Microsemi的IGBT
Microsemi的IGBT产品为各种高电压、高功率应用提供了高质量的解决方案。开关频率范围从最小传导损耗的DC到极高功率密度SMPS应用的100kHz以上。每种产品类型的频率范围如下图所示。每种IGBT产品都代表了最新的IGBT技术,为目标应用提供了最佳的性能/成本组合。有六个产品系列使用三种不同的IGBT技术:非穿透式(NPT)、穿透式(PT)和现场停止。

APTM100A13SG所属分类:场效应晶体管阵列,APTM100A13SG 由 微芯 (Microchip) 设计生产,可通过久芯网进行购买。APTM100A13SG价格参考¥1890.903903,你可以下载 APTM100A13SG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询APTM100A13SG规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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Microchip Technology Inc.是微控制器和模拟半导体的领先供应商,为全球数千种不同的客户应用程序提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的上市时间。Microchip总部位于亚利...

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