9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTM20DUM04G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTM20DUM04G参考价格为271.82750美元。微芯片技术APTM20DUM04G封装/规格：MOSFET 2N-CH 200V 372A SP6。您可以下载APTM20DUM04G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APTM20DHM16T3G，带引脚细节，包括POWER MOS 7R系列，设计用于散装包装，包装箱如数据表注释所示，用于SP3，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），安装类型设计用于底盘安装，以及SP3供应商设备包，该器件也可以用作2N沟道（双）非对称FET型。此外，最大功率为390W，该器件提供200V漏极到源极电压Vdss，该器件具有7220pF@25V输入电容Cis-Vds，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为104A，最大Id Vgs上的Rds为19mOhm@52A，10V，Vgs最大Id为5V@2.5mA，栅极电荷Qg Vgs为140nC@10V。
APTM20DHM20TG带有用户指南，包括5V@2.5mA Vgs th Max Id，它们设计用于SP4供应商设备包，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于24 mOhm@44.5A，10V，提供功率最大功能，如357W，包装设计用于散装，以及SP4包装箱，其工作温度范围为-40°C ~ 150°C（TJ）。此外，安装类型为底盘安装，该器件提供6850pF@25V输入电容Cis-Vds，该器件具有112nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N沟道（双）不对称，FET特性为标准，漏极-源极电压Vdss为200V，25°C电流连续漏极Id为89A。
APTM20DHM16TG带电路图，包括104A电流连续漏极Id 25°C，设计用于200V漏极到源极电压Vdss，数据表注释中显示了FET特性，用于标准，提供FET类型特性，如2 N通道（双）不对称，栅极电荷Qg Vgs设计用于140nC@10V，除了7220pF@25V输入电容Cis Vds，该设备还可以用作底盘安装型，其工作温度范围为-40°C ~ 150°C（TJ），该设备采用SP4封装盒，该设备具有大量封装，最大功率为390W，Rds On Max Id Vgs为19mOhm@52A，10V，供应商设备封装为SP4，Vgs th Max Id为5V@2.5mA。
