9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTM50AM19FG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTM50AM19FG参考价格为273.95750美元。微芯片技术APTM50AM19FG封装/规格：MOSFET 2N-CH 500V 163A SP6。您可以下载APTM50AM19FG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APTM50AM17FG是MOSFET 2N-CH 500V 180A SP6，包括散装封装，它们设计为与SP6封装盒一起工作，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），提供底座安装等安装类型功能，供应商设备封装设计为在SP6中工作，以及2 N沟道（半桥）FET类型，该器件还可以用作1250W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为500V，该器件提供28000pF@25V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性标准，25°C的电流连续漏极Id为180A，最大Id Vgs的Rds为20 mOhm@90A，10V，Vgs最大Id为5V@10mA，栅极电荷Qg-Vgs为560nC@10V。
APTM50A15FT1G带用户指南，包括5V@1mA Vgs th Max Id，它们设计用于SP1供应商设备包，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于180 mOhm@21A，10V，提供最大功率功能，如208W，包装设计用于批量工作，以及SP1包外壳，其工作温度范围为-40°C ~ 150°C（TJ）。此外，安装类型为底盘安装，该器件提供5448pF@25V输入电容Cis-Vds，该器件具有170nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N沟道（半桥），FET特性为标准，漏极-源极电压Vdss为500V，电流连续漏极Id 25°C为25A。
APTM20UM04SAG是由Microsemi制造的分立半导体模块功率模块-Mosfet。APTM20UM04SAG以SP6封装形式提供，是桥式整流器的一部分，并支持分立半导体模块功率模块-Mosfet，N通道200V 417A（Tc）1560W（Tc）底盘安装SP6。
