9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTM120A20DG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTM120A20DG参考价格$280.27500。微芯片技术APTM120A20DG封装/规格：MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6。您可以下载APTM120A20DG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APTM10TDUM19PG带有引脚细节，包括散装封装，设计用于SP6封装外壳，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），提供底盘安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于SP6-P以及6 N通道（3相桥）FET类型，该设备也可以用作208W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为100V，该器件以5100pF@25V输入电容Cis-Vds提供，该器件具有FET特性标准，25°C的电流连续漏极Id为70A，最大Id Vgs上的Rds为21mOhm@35A，10V，Vgs最大Id为4V@1mA，栅极电荷Qg-Vgs为200nC@10V。
APTM10UM01FAG是由Microsemi制造的分立半导体模块功率模块-Mosfet。APTM10UM01FAG以SP6封装形式提供，是桥式整流器的一部分，并支持分立半导体模块功率模块-Mosfet，N通道100V 860A（Tc）2500W（Tc）底盘安装SP6。
APTM10UM02FAG是由Microsemi制造的分立半导体模块功率模块-Mosfet。是桥式整流器的一部分，并支持分立半导体模块功率模块-Mosfet，N通道100V 570A（Tc）1660W（Tc）底盘安装SP6。
