9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTM10HM05FG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTM10HM05FG参考价格为320.41750美元。微芯片技术APTM10HM05FG封装/规格：MOSFET 4N-CH 100V 278A SP6。您可以下载APTM10HM05FG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APTM10DUM02G带有引脚细节，包括散装封装，设计用于SP6封装外壳，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），提供底盘安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于SP5，以及2 N通道（双）FET类型，该设备也可作为1250W最大功率使用。此外，漏极到源极电压Vdss为100V，该器件提供40000pF@25V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性标准，25°C的电流连续漏极Id为495A，最大Id Vgs的Rds为2.5mOhm@200A，10V，Vgs最大Id为4V@10mA，栅极电荷Qg-Vgs为1360nC@10V。
APTM10DUM05TG带有用户指南，包括4V@5mA Vgs th Max Id，它们设计用于SP4供应商设备包，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于5 mOhm@125A，10V，提供780W等最大功率功能，包装设计用于散装，以及SP4包装箱，其工作温度范围为-40°C ~ 150°C（TJ）。此外，安装类型为底盘安装，该器件提供20000pF@25V输入电容Cis-Vds，该器件具有700nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为标准，漏极-源极电压Vdss为100V，25°C电流连续漏极Id为278A。
APTM0DSKM19T3G，带电路图，包括70A电流连续漏极Id 25°C，设计用于100V漏极到源极电压Vdss，FET功能如数据表注释所示，用于标准，提供FET类型功能，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计用于200nC@10V，以及5100pF@25V输入电容Cis Vds，该设备也可以用作底盘安装型，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），该设备以SP3封装盒提供，该设备具有大量封装，最大功率为208W，最大Id Vgs的Rds为21mOhm@35A，10V，供应商设备封装为SP3，Vgs th最大Id为4V@1mA。
