9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTM50HM75STG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTM50HM75STG参考价格为149.34000美元。微芯片技术APTM50HM75STG封装/规格：MOSFET 4N-CH 500V 46A SP4。您可以下载APTM50HM75STG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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APTM50HM75SCTG带有引脚细节，包括散装封装，设计用于SP4封装外壳，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），提供底盘安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于SP3，以及4 N沟道（H桥）FET类型，该设备也可用于357W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为500V，该器件提供5590pF@25V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性的碳化硅（SiC），25°C的电流连续漏极Id为46A，最大Id Vgs的Rds为90mOhm@23A，10V，Vgs的最大Id为5V@2.5mA，栅极电荷Qg Vgs为123nC@10V。
APTM50HM75FT3G是MOSFET 4N-CH 500V 46A SP3，包括5V@2.5mA Vgs和最大Id，它们设计用于SP3供应商设备包，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于90 mOhm@23A，10V，提供最大功率功能，如357W，封装设计用于批量工作，以及SP3封装外壳，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为底盘安装，该器件提供5600pF@25V输入电容Cis-Vds，该器件具有123nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为4 N沟道（H桥），FET特性为标准，漏极-源极电压Vdss为500V，电流连续漏极Id 25°C为46A。
APTM50HM75FTG是MOSFET 4N-CH 500V 46A SP4，包括46A电流连续漏极Id 25°C，设计用于500V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于标准的FET特性，该标准提供FET类型特性，如4 N沟道（H桥），栅极电荷Qg Vgs设计用于123nC@10V，除了5600pF@25V输入电容Cis Vds之外，该设备还可以用作底盘安装安装型，其工作温度范围为-40°C ~ 150°C（TJ），该设备采用SP4封装盒，该设备具有大量封装，最大功率为357W，Rds On Max Id Vgs为90 mOhm@23A，10V，供应商设备封装为SP4，Vgs th Max Id为5V@2.5mA。
