9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTM50HM35FG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTM50HM35FG参考价格为328.47500美元。微芯片技术APTM50HM35FG封装/规格：MOSFET 4N-CH 500V 99A SP6。您可以下载APTM50HM35FG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APTM50H15FT1G，带引脚细节，包括功率MOSFET模块产品，它们设计为与全桥MOSFET模块类型一起工作，包装如数据表注释所示，用于散装，提供安装类型功能，如通孔，其工作温度范围为-40 C至+100 C，以及SP1包装箱，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为底盘安装，该设备在SP1供应商设备包中提供，该设备具有四个配置，FET类型为4 N通道（H桥），最大功率为208W，漏极到源极电压Vdss为500V，输入电容Ciss Vds为5448pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为25A，Rds最大Id Vgs为180mOhm@21A，10V，Vgs最大Id为5V@1mA，栅极电荷QgVgs为170nC@110V，Pd功耗为208W，下降时间为26ns，上升时间为35ns，Vgs栅极-源极电压为+/-30V，Id连续漏极电流为25A，Vgs栅-源极阈值电压为3V，Rds漏极-源极电阻为130mOhm，并且晶体管极性为N沟道，并且典型关断延迟时间为80ns，并且典型接通延迟时间为29ns。
APTM50H14FT3G是MOSFET 4N-CH 500V 26A SP3，包括5V@1mA Vgs th Max Id，它们设计用于3 V Vgs th栅极-源极阈值电压，Vgs栅极-源电压显示在数据表注释中，用于30 V，提供Vds漏极-源极击穿电压功能，如500 V，典型开启延迟时间设计为10 ns，该器件还可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为POWER MOS 7，该器件在SP3供应商器件包中提供，该器件具有17 ns的上升时间，Rds On Max Id Vgs为168 mOhm@13A，10V，Rds On漏极-源极电阻为140 mOhm，产品为功率MOSFET模块，功率最大值为208W，Pd功耗为208 W，封装为散装，封装外壳为SP3，它的工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），安装方式为螺钉式，安装类型为底盘安装，输入电容Ciss Vds为3259pF@25V，Id连续漏电流为26A，栅极电荷Qg Vgs为72nC@10V，FET类型为4 N沟道（H桥），FET特性为标准，下降时间为41ns，漏极到源极电压Vdss为500V，电流连续漏极Id 25°C为26A，配置为单一。
APTM50HM35F带有ADVANCED POWER TECHNOLOGY LTD.制造的电路图。APTM50HM 35F可在模块包中获得，是模块的一部分。
