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PMDPB80XP，115，带引脚细节，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于6-UDFN暴露焊盘封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备封装设计用于6-HUSON（2x2）以及2 P通道（双）FET类型，该器件还可以用作485mW最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为20V，该器件提供550pF@10V输入电容Cis-Vds，该器件具有逻辑电平门，1.8V FET驱动功能，电流连续漏极Id 25°C为2.7A，最大Id Vgs为102mOhm@2.7A，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为8.6nC@4.5V。
PMDPB70XPE，115是MOSFET 2P-CH 20V 3A 6HUSON，包括1.25V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于6-DFN2020（2x2）供应商设备包，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于79 mOhm@2A，4.5V，提供515mW等功率最大功能，包装设计用于Digi-ReelR替代包装，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供600pF@10V输入电容Cis-Vds，器件具有7.5nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 P通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为3A。
PMDPB70XP，115是MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6DFN，包括2.9A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在30V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表注释中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 P通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计为在7.8nC@5V下工作，除了680pF@15V输入电容Ciss Vds，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该器件采用6-UDFN暴露焊盘封装盒，该器件具有Digi-ReelR交替封装，最大功率为490mW，最大Id Vgs上的Rds为87 mOhm@2.9A，4.5V，供应商设备包为6-HUSON（2x2），Vgs th Max Id为1V@250μA。
