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ALD1110902SAL是MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC，包括EPADR系列，数据表注释中显示了用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）的封装盒，其工作温度范围为0°C~70°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及8-SOIC供应商器件封装，该器件也可以用作2 N通道（双）匹配对FET类型。此外，最大功率为500mW，该器件提供10.6V漏极到源极电压Vdss，该器件具有2.5pF@5V的输入电容Cis-Vds，FET特性为标准，最大Id Vgs上的Rds为500 Ohm@4.2V，Vgs最大Id为220mV@1μa。
ALD110904PAL是MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP，包括420mV@1μA Vgs th Max Id，它们设计为与8-PDIP供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于EPADR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如500 Ohm@4.4V，功率最大设计为500mW，以及管封装，该器件也可作为8-DIP（0.300“，7.62mm）封装盒使用，其工作温度范围为0°C~70°C（TJ），该器件为通孔安装型，该器件具有2.5pF@5V的输入电容Cis-Vds，FET类型为2 N通道（双）匹配对，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为10.6V，电流连续漏极Id 25°C为12mA，3mA。
ALD1110902PAL是MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP，包括10.6V漏极到源极电压Vdss，它们设计为与标准FET功能一起工作，FET类型如数据表注释所示，用于2 N通道（双）匹配对，提供输入电容Cis-Vds功能，如2.5pF@5V，安装类型设计为在通孔中工作，它的工作温度范围为0°C~70°C（TJ），该设备也可作为8-DIP（0.300“，7.62mm）封装盒使用。此外，该封装为管式，该设备的最大功率为500mW，该设备在最大Id Vgs上具有500 Ohm@4.2V的Rds，系列为EPADR，供应商设备封装为8-PDIP，Vgs最大Id为220mV@1μa。
